BEHLKE高壓開關HTS 180?48?B高壓mosfet功率列陣

更新時間：2026-04-30

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HTS 180?48?B 是**全固態高壓MOSFET脈沖開關**，整體為**金屬+絕緣灌封的模塊化密閉結構**，外形緊湊（約手掌大小），內部由五大功能區組成：

1. 高壓MOSFET功率陣列（核心功率層）

2. 同步隔離驅動電路板（控制層）

3. 動態均壓與緩沖網絡（均壓/吸收層）

4. 過流/過壓/過溫保護電路（保護層）

5. 高壓絕緣腔體與灌封體（絕緣/機械層）

所有元器件按**低電感、高耐壓、強散熱**原則三維排布，內部**真空灌封高壓絕緣樹脂**，無空氣隙、無內部電弧風險。

高壓MOSFET功率陣列（核心）

1. 芯片選型

- 型號：Trench?MOSFET（溝槽型）**，對應型號后綴 B

- 特點：低導通電阻（mΩ級）、低損耗、高di/dt能力

- 單管耐壓：約 **600V～800V**，遠低于整機18kV，靠**串聯分壓**實現高壓。

2. 串并聯拓撲（實現18kV/480A）

- 串聯：約24～30顆MOSFET串聯

- 每顆均分約 **600～750V，工作在安全區

- 串聯后總耐壓 **≥18kV

- 并聯：每串聯支路多管并聯

- 提升峰值電流至 **480A

- 降低導通阻抗、減小發熱

- 整體構成**多串多并的低電感功率疊層。

3. 布局與母線設計

- **層疊式緊湊排列**：MOSFET貼緊高壓陶瓷基板，間距嚴格控制爬電距離。

- **低電感銅排/鋁排**：極短、寬面連接，**抑制雜散電感**，保證**納秒級上升沿**。

- **高壓端與低壓端物理隔離**：高壓側（18kV）與驅動/低壓側分腔，爬電距離≥**80mm**（按18kV絕緣標準）漢達森yyds吳亞男。